8
RF Device Data
Freescale Semiconductor, Inc.
MRF8S7170NR3
LOAD PULL CHARACTERISTICS
VDD
=28Vdc,IDQ
= 1200 mA, Pulsed CW, 10
?sec(on), 10% Duty Cycle
(1)
f
(MHz)
P1dB
P3dB
Watts
dBm
Watts
dBm
600
129
51.1
178
52.5
658
219
53.4
275
54.4
698
219
53.4
282
54.5
728
229
53.6
310
54.9
748
227
53.5
303
54.8
768
214
53.3
293
54.6
805
219
53.4
275
54.4
1. Output power capability drops rapidly below 658 MHz.
NOTE: Load Pull Test Fixture Tuned for Peak P1dB Output Power @ 28 V
Test Impedances per Compression Level
f
(MHz)
Zsource
?
Zload
?
600
P1dB
2.90 -- j0.40
0.70 -- j2.20
658
P1dB
0.80 -- j1.10
1.20 -- j1.00
698
P1dB
0.70 -- j1.88
1.10 -- j0.97
728
P1dB
0.61 -- j2.32
0.72 -- j1.32
748
P1dB
0.73 -- j2.60
0.81 -- j1.27
768
P1dB
0.72 -- j2.82
0.58 -- j1.46
805
P1dB
0.90 -- j3.20
1.00 -- j1.20
Figure 10. Pulsed CW Output Power
versus Input Power @ 28 V
相关PDF资料
MRF8S9100HSR5 MOSFET RF N-CH 100W NI-780S
MRF8S9120NR3 FET RF N-CH 900MHZ QM780-2
MRF8S9170NR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V OM780-2
MRF8S9200NR3 MOSFET RF N-CH 58W OM780-2
MRF8S9220HSR3 FET RF N-CH 900MHZ 28V NI780S
MRF8S9260HSR3 FET RF N-CH 960MHZ 70V NI-880HS
MRF9002NR2 MOSFET RF N-CHAN 26V 2W 16-PFP
MRF9030NBR1 IC MOSFET RF N-CHAN TO272-2
相关代理商/技术参数
MRF8S7235N 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF8S7235NR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 700MHZ OM780-2 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S8260H 制造商:FREESCALE 制造商全称:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF8S8260HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S8260HR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S8260HSR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S8260HSR5 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 260W NI880HS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray
MRF8S9100HR3 功能描述:射频MOSFET电源晶体管 HV8 900MHZ 100W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶体管极性: 频率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 输出功率:100 W 汲极/源极击穿电压: 漏极连续电流: 闸/源击穿电压: 最大工作温度: 封装 / 箱体:NI-780-4 封装:Tray